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还在为寻找一颗既能承载大电流、又具备极低损耗的紧凑型MOSFET而烦恼吗？DMN3013LDG-13正是为您的高效电源设计而生。这颗双N沟道MOSFET阵列，凭借其30V的耐压和高达15A的连续电流能力，让您轻松应对严苛的功率切换任务。

其核心魅力在于高达14.3毫欧的超低导通电阻，能显著减少导通损耗，直接提升系统整体效率并降低温升。同时，极低的栅极电荷和输入电容，确保了快速、干净的开关特性，让您的DC-DC转换器或电机驱动电路运行得更快、更高效。采用节省空间的8-PowerLDFN封装，它完美适配各类紧凑型现代电子设备，是您提升产品功率密度和可靠性的理想选择。

• 型号:DMN3013LDG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（D 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 9.5A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.5A（Ta），15A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14.3 毫欧 @ 4A，8V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.7nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:600pF @ 15V
• 功率 - 最大值:2.16W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerLDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（D 类）
• DMN3013LDG-13，Diodes产品一站式供应商。