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还在寻找能同时提升效率并节省空间的MOSFET解决方案吗？DMN3013LDG-7双N沟道MOSFET阵列正是为您而来。它集成了两个高性能通道，凭借低至14.3毫欧的导通电阻和高达15A的电流承载能力，能显著降低功率损耗，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松实现高功率密度设计。其紧凑的8-PowerLDFN封装和优异的开关特性（栅极电荷仅5.7nC），使您能在有限的板卡空间内构建出响应迅速、能效卓越的电路。无论是用于同步整流提升效率，还是作为负载开关实现精准的电源管理，DMN3013LDG-7都是助您打造高性能、高可靠性产品的得力伙伴。

• 型号:DMN3013LDG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（D 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 9.5A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.5A（Ta），15A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14.3 毫欧 @ 4A，8V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.7nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:600pF @ 15V
• 功率 - 最大值:2.16W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerLDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（D 类）
• DMN3013LDG-7，Diodes产品一站式供应商。