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还在为寻找既能节省空间又能提供强劲驱动力的MOSFET而烦恼吗？DMN3015LSD-13双N沟道MOSFET阵列正是您的理想之选。它集成了两个高性能的30V、8.4A MOSFET，让您轻松实现更紧凑、更高效的电路布局。

这颗芯片的核心使命是让您的电源管理变得前所未有的高效。其极低的导通电阻（典型值15毫欧）能大幅减少功率损耗，而优化的开关特性则帮助您提升系统整体效率。无论是用于同步整流、电机控制还是负载开关，它都能确保稳定可靠的性能输出。

采用坚固的8-SOIC表面贴装封装，DMN3015LSD-13不仅易于焊接和生产，更能帮助您的产品从容应对-55°C到150°C的严苛温度挑战。选择它，就是为您的设计选择了一份高效与安心的保障。

• 型号:DMN3015LSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.4A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25.1nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1415pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.2W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMN3015LSD-13，Diodes产品一站式供应商。