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还在为寻找一颗既能节省空间又能扛起大电流的MOSFET而烦恼吗？DMN3016LDN-7正是为您的高效设计而来。这颗双N沟道MOSFET集30V耐压、7.3A持续电流能力于一身，其核心魅力在于仅20毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源路径更“通畅”，整体能效轻松跃升。

它采用先进的8-PowerWDFN超薄封装，为您在紧凑的电路板上实现高功率密度设计提供了可能。逻辑电平驱动的特性让您可以直接用微处理器或低电压逻辑电路轻松控制，简化外围设计。无论是用于同步整流、电机驱动还是负载开关，DMN3016LDN-7都能以出色的开关性能和可靠性，助您构建更高效、更小巧的终端产品。

• 型号:DMN3016LDN-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:V-DFN3030-8（J 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.3A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25.1nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1415pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.1W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerWDFN
• 供应商器件封装:V-DFN3030-8（J 类）
• DMN3016LDN-7，Diodes产品一站式供应商。