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您是否正在寻找一颗能大幅提升开关电源效率、同时又能完美适应紧凑空间的“能量开关”？DMN3016LFDF-13正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有30V/12A的强劲规格，其核心价值在于极低的导通电阻（仅12mΩ）与极小的栅极电荷，能显著降低导通与开关损耗，让您的电源模块或电机驱动方案运行得更凉、更高效。

它采用先进的U-DFN2020-6微型封装，在提供强大功率处理能力的同时，几乎不占用宝贵的电路板空间，让您轻松实现高密度设计。无论是面对同步整流、负载开关还是电池管理电路，它都能以卓越的电气性能和宽工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保系统稳定可靠，助您打造出更具市场竞争力的终端产品。

• 型号:DMN3016LFDF-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1415 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.02W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• DMN3016LFDF-13，Diodes产品一站式供应商。