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还在为电源转换效率难以提升而烦恼吗？DMN3016LK3-13正是为您破解这一难题的利器。这颗N沟道MOSFET就像一个高效的能量开关，凭借仅12毫欧的超低导通电阻，能大幅减少电流通过时的损耗，让您的DC-DC转换器、电机驱动或负载开关应用运行得更“冷静”、更省电。

它能在高达12.4A的电流下稳定工作，并支持4.5V至10V的标准驱动电压，让您轻松实现快速、干净的开关控制。其紧凑的TO-252表面贴装封装，不仅节省宝贵的电路板空间，还简化了您的生产流程。选择它，就是选择让您的设计在性能、效率和可靠性上获得全面提升。

• 型号:DMN3016LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1415 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMN3016LK3-13，Diodes产品一站式供应商。