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还在为寻找一颗既能扛大电流、又拥有超低导通损耗的MOSFET而烦恼吗？DMN3016LPS-13正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有30V的漏源电压和10.8A的连续电流能力，其核心魅力在于仅12毫欧的超低导通电阻（在10V驱动下），能显著降低开关过程中的功率损耗，直接为您提升系统整体效率，并缓解散热压力。

它能让您的设计工作变得异常轻松。仅需4.5V的低驱动电压即可实现高效导通，特别适合电池供电应用，帮助您延长产品续航。同时，极低的栅极电荷和输入电容确保了快速的开关响应，让您的电源电路或电机驱动方案运行更加迅捷、平滑。其采用表面贴装的PowerDI5060-8封装，节省宝贵的电路板空间，是追求高功率密度和可靠性的现代电子设备的理想选择。

• 型号:DMN3016LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1415 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.18W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMN3016LPS-13，Diodes产品一站式供应商。