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您正在寻找一颗能“扛大梁”又“省地方”的功率开关吗？DMN3018SFG-13正是为您而来！这颗N沟道MOSFET拥有30V/8.5A的强劲规格，其核心魅力在于低至21毫欧的导通电阻，能显著减少开关过程中的功率损耗，直接为您提升系统整体能效，让设备运行更凉爽、更持久。

它专为空间受限的高性能应用优化。采用先进的PowerDI3333-8封装，在极小尺寸内实现了出色的散热能力，让您轻松应对超薄适配器、便携式设备主板或紧凑型电机驱动等设计挑战。同时，4.5V的低驱动电压让它可以被主流MCU轻松驾驭，简化您的电路设计。选择DMN3018SFG-13，就是为您的产品注入高效、可靠的核心动力。

• 型号:DMN3018SFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:21 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:697 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMN3018SFG-13，Diodes产品一站式供应商。