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您正在寻找一颗能显著提升系统效率、同时保持设计紧凑的功率开关吗？DMN3018SFGQ-7正是您的理想解决方案。这颗30V、8.5A的N沟道MOSFET，以其低至21毫欧的导通电阻，能大幅降低导通损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

它专为高效开关而优化，极低的栅极电荷和输入电容让开关速度更快、损耗更小，非常适合高频DC-DC转换、电机驱动和负载开关应用。采用小巧的PowerDI3333-8封装，帮助您轻松实现高功率密度设计。选择它，就是选择高效能与高可靠性的完美结合。

• 型号:DMN3018SFGQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:21 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:697 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMN3018SFGQ-7，Diodes产品一站式供应商。