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还在寻找一颗能同时兼顾高效率、易驱动和紧凑尺寸的功率开关吗？DMN3018SSD-13正是为您而来。这颗双N沟道MOSFET阵列，凭借其仅22毫欧的超低导通电阻和6.7A的强劲电流能力，能显著降低您的系统开关损耗和发热，让电能转换更加高效。

它专为逻辑电平驱动优化，仅需约2.1V的栅极电压即可高效导通，让您能轻松地用微处理器直接控制，省去复杂的电平转换电路。无论是用于电源路径管理、电机驱动还是负载开关，它都能帮助您简化设计、提升可靠性，并节省宝贵的电路板空间。

• 型号:DMN3018SSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.7A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.2nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:697pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.5W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMN3018SSD-13，Diodes产品一站式供应商。