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您正在寻找一颗能显著提升电源效率和控制精度的核心开关器件吗？DMN3018SSS-13正是为您而来。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有30V/7.3A的强劲规格，其核心魅力在于极低的导通电阻（典型值21mΩ），能大幅降低导通损耗，直接为您节省宝贵的电能，让设备运行更凉爽、续航更持久。

同时，其优化的栅极电荷和电容特性，确保了迅猛的开关响应，特别适合需要高频工作的DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用。选择它，意味着您能轻松实现更高效率、更小体积的电源设计方案，让产品在性能和成本之间找到完美平衡点。

• 型号:DMN3018SSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 30V 7.3A 8-SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:21 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:697 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMN3018SSS-13，Diodes产品一站式供应商。