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还在为电源转换效率瓶颈而困扰吗？DMN3020UFDF-13 N沟道MOSFET就是您的高效解决方案。它能在低至1.5V的驱动电压下迅速响应，以超低的19毫欧导通电阻处理高达15A的电流，显著减少功率损耗，让您的设备运行更凉爽，电池续航更持久。

这颗芯片专为空间受限的高性能应用而优化。其微小的U-DFN2020-6封装节省了板上空间，而宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）和30V的耐压能力，则确保了它在从消费电子到工业控制等各种环境中的稳定性和耐用性。选择它，就是为您的设计注入了高效与可靠的核心动力。

• 型号:DMN3020UFDF-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 15A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19 毫欧 @ 4.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1304 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.03W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• DMN3020UFDF-13，Diodes产品一站式供应商。