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还在为功率转换效率不高而烦恼吗？DMN3020UFDF-7 N沟道MOSFET就是您的高效开关解决方案。它能在低至1.5V的驱动电压下高效开启，并以仅19毫欧的超低导通电阻处理高达15A的连续电流，显著降低导通损耗和发热，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

这颗芯片采用微型U-DFN2020-6封装，能轻松集成到空间受限的便携式电子产品、电机驱动或电源管理模块中，帮助您实现更紧凑、更优雅的工业设计。其坚固的设计支持-55°C至150°C的宽温工作范围，确保在各种应用环境中稳定可靠。选择它，就是为您的项目选择了一份高效与安心的保障。

• 型号:DMN3020UFDF-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 15A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19 毫欧 @ 4.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1304 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.03W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• DMN3020UFDF-7，Diodes产品一站式供应商。