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还在寻找那颗能让您的电源设计既小巧又强效的“心脏”吗？DMN3020UTS-13 N沟道MOSFET就是为您而来的解决方案。它拥有30V的耐压和高达15A的连续电流处理能力，凭借其极低的导通电阻，能显著减少开关过程中的功率损耗，直接为您提升系统整体效率，让热量管理变得更轻松。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的DC-DC转换器、电机驱动或负载开关应用运行得更冷静、更高效。其优化的栅极特性确保快速干净的开关动作，帮助您简化驱动电路设计。选择它，就是为您的产品注入了Diodes Incorporated的卓越品质与可靠性，助您在市场中赢得先机。

• 型号:DMN3020UTS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-TSSOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 15A 8TSSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 4.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1304 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-TSSOP
• 封装/外壳:8-TSSOP（0.173\\
• DMN3020UTS-13，Diodes产品一站式供应商。