我们为全球各个行业提供Diodes DMN3021LFDF-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找那颗能让您的设计既高效又小巧的“核心开关”吗？DMN3021LFDF-7 N沟道MOSFET正是为您而来。它凭借仅15毫欧的超低导通电阻和高达11.8A的电流承载能力，能显著降低功率损耗和发热，让您的电源管理、电机驱动或负载开关电路运行得更凉爽、更持久。

这颗芯片采用先进的U-DFN2020-6微型封装，为您节省宝贵的电路板空间，同时其低至14nC的栅极电荷确保了极快的开关速度，轻松应对高频应用需求。无论是提升便携设备的续航，还是增强工业控制的可靠性，它都能让您的产品性能跃升一个新台阶。

• 型号:DMN3021LFDF-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 11.8A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:706 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.03W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• DMN3021LFDF-7，Diodes产品一站式供应商。