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还在为空间有限却需要强大驱动力的设计而发愁吗？DMN3022LDG-13双N沟道MOSFET就是为您量身打造的解决方案。它能轻松胜任高达30V电压、15A电流的开关任务，并以最低仅8毫欧的超低导通电阻，大幅降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更持久。

这颗芯片能为您做什么？它让您在高频开关应用中游刃有余。得益于极低的栅极电荷和输入电容，它能实现快速、干净的开关动作，显著提升系统整体效率。其紧凑的PowerDI333封装不仅节省宝贵的电路板空间，还提供了优异的散热性能。无论是提升便携设备的电池续航，还是优化工业模块的功率密度，选择它，就是选择了一条高效、可靠的设计捷径。

• 型号:DMN3022LDG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（D 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 7.6A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.6A（Ta），15A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 10A，5V，8 毫欧 @ 10A，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A，1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.7nC @ 4.5V，8nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:481pF @ 15V，996pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.96W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerLDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（D 类）
• DMN3022LDG-13，Diodes产品一站式供应商。