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还在寻找一颗能同时搞定高效率和节省空间的功率开关吗？DMN3022LDG-7双N通道MOSFET阵列就是您的理想答案。它凭借低至8毫欧的导通电阻和高达15A的电流承载能力，能显著降低系统功耗与发热，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更冷静、更高效。

这颗芯片采用先进的8-PowerLDFN超薄封装，专为空间紧凑的现代电子产品优化，让您轻松实现高功率密度设计。其优异的开关特性（低栅极电荷）和宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），确保它在从消费电子到工业控制的多种应用中都能提供稳定可靠的性能，助您轻松应对各种设计挑战。

• 型号:DMN3022LDG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（D 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 7.6A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.6A（Ta），15A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 10A，5V，8 毫欧 @ 10A，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A，1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.7nC @ 4.5V，8nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:481pF @ 15V，996pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.96W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerLDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（D 类）
• DMN3022LDG-7，Diodes产品一站式供应商。