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还在为空间受限的PCB板寻找一颗“小身材、大能量”的功率开关吗？DMN3023L-7正是您的理想之选。这款N沟道MOSFET将30V耐压和6.2A的强大电流承载能力，浓缩于微小的SOT-23封装之中，让您轻松实现高功率密度设计。

它凭借低至25毫欧的导通电阻和快速的开关特性，能显著降低导通与开关损耗，提升系统整体能效。无论是用于负载开关、电机控制还是DC-DC转换，都能让您的设备运行更高效、更凉爽。其宽泛的工作温度范围和可靠的品质，确保您的产品在各种环境下稳定表现。

• 型号:DMN3023L-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:873 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN3023L-7，Diodes产品一站式供应商。