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还在为寻找一颗能兼顾高效率与小体积的功率开关而烦恼吗？DMN3024LSD-13双N沟道MOSFET正是为您量身打造的解决方案。它能为您做什么？它能让您的电源管理设计焕然一新！凭借仅24毫欧的超低导通电阻，它能大幅降低开关损耗，将更多电能高效地输送给负载，从而让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

这颗芯片采用逻辑电平门驱动，意味着您可以直接使用常见的3.3V或5V微控制器信号来轻松控制它，简化了驱动电路设计。其紧凑的8-SOIC封装，让您能在极其有限的空间内实现强大的功率处理能力，是便携式设备、快充模块和分布式电源系统的理想选择。选择它，就是选择了一种更高效、更紧凑、更可靠的设计路径。

• 型号:DMN3024LSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.8A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.9nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:608pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.8W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMN3024LSD-13，Diodes产品一站式供应商。