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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？DMN3024SFG-13 N沟道MOSFET就是您的高效开关专家。它能在30V电压下顺畅处理高达7.5A的电流，并以低至23毫欧的导通电阻，显著减少功率损耗，让您的设备运行更凉爽，续航更持久。

这颗芯片专为让您的设计事半功倍而生。其4.5V的低驱动电压让您能轻松搭配各类MCU，快速实现精准的功率控制。同时，超低的栅极电荷（10.5nC）确保了极高的开关频率，非常适合要求快速响应的DC-DC转换和电机驱动应用。选择它，您就为产品注入了高效与可靠的核心动力。

• 型号:DMN3024SFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:479 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMN3024SFG-13，Diodes产品一站式供应商。