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还在寻找一颗能兼顾高效能与紧凑空间的功率开关吗？DMN3024SFG-7正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有30V的耐压和7.5A的强劲电流处理能力，其核心优势在于极低的导通电阻，能显著减少开关过程中的功率损耗，直接提升您的系统整体效率。

它能让您的电源设计更“冷静”，运行更持久。其快速的开关速度和低栅极电荷特性，特别适合高频DC-DC转换等应用，让您的产品响应更迅捷。采用节省空间的PowerDI3333-8封装，帮助您在有限的板卡面积内实现更强大的功能集成。选择它，就是为您的产品注入了高效可靠的动力核心。

• 型号:DMN3024SFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:479 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMN3024SFG-7，Diodes产品一站式供应商。