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还在为寻找一款体积小巧、性能强劲的功率开关而烦恼吗？DMN3025LFG-7正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET能在30V电压下顺畅处理高达7.5A的电流，其惊人的18毫欧超低导通电阻，让您的电源转换效率大幅提升，热量产生显著减少。

更妙的是，它仅需4.5V的低驱动电压即可高效工作，让您轻松对接各种控制芯片，简化电路设计。其PowerDI3333-8表面贴装封装，完美解决了空间受限的设计难题，同时确保优异的散热表现。选择它，就是选择了一条通往高效、紧凑、可靠电源管理方案的捷径。

• 型号:DMN3025LFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 30V 7.5A POWERDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 7.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:605 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMN3025LFG-7，Diodes产品一站式供应商。