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还在寻找一颗能同时兼顾大电流、低损耗和小尺寸的功率开关吗？DMN3025LFV-7正是为您而生的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有30V的漏源电压和25A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻，能大幅减少开关过程中的功率损耗，直接为您带来更高的系统效率和更凉爽的运行温度。

它能让您的电源管理设计如虎添翼。无论是用于同步整流提升DC-DC转换器效率，还是作为负载开关控制模块供电，其优异的开关特性（低栅极电荷和输入电容）都能确保快速、干净的开关动作。采用紧凑的PowerDI3333-8封装，让您在有限的电路板空间内也能部署强大的功率处理能力，轻松实现高功率密度设计。

• 型号:DMN3025LFV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 25A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:500 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMN3025LFV-7，Diodes产品一站式供应商。