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还在寻找一颗能兼顾高效与可靠的功率开关吗？DMN3025LSS-13正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有30V/7.2A的强劲规格，其核心魅力在于超低的20毫欧导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源模块或电机驱动电路运行得更凉爽、更高效。

它采用紧凑的8-SO封装，非常适合空间受限的便携式设备。同时，优化的栅极电荷和快速开关特性，让您的驱动电路设计更简单，系统响应更迅捷。选择它，就是为您的产品注入了Diodes原厂的品质与性能保障。

• 型号:DMN3025LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:641 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMN3025LSS-13，Diodes产品一站式供应商。