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还在为寻找一颗体积小、效率高、驱动简单的功率开关而烦恼吗？DMN3029LFG-13正是为您量身打造的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有30V耐压和5.3A的持续电流能力，其核心价值在于极低的导通损耗（Rds(on)仅18.6mΩ）和低至1.8V的驱动门槛。

这意味着它能显著降低您系统中的开关损耗和发热，提升整体能效，同时让您可以直接用微处理器的GPIO口轻松驱动，省去复杂的电平转换电路。无论是用于电源路径管理、电机控制还是负载开关，它都能让您的设计更高效、更紧凑、更可靠。

• 型号:DMN3029LFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18.6 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:580 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMN3029LFG-13，Diodes产品一站式供应商。