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还在寻找一颗能兼顾高效能与紧凑空间的功率开关芯片吗？DMN3030LFG-7正是为您而生的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有30V的耐压和5.3A的强劲电流处理能力，其核心魅力在于仅18毫欧的超低导通电阻，能显著减少开关过程中的功率损耗，直接为您带来更低的温升和更高的系统效率。

它能让您的DC-DC转换器、电机驱动或负载开关电路运行得更安静、更凉爽、更持久。优化的栅极特性让驱动设计变得轻松，而微小的PowerDI3333-8封装则让您能在极其有限的空间内实现高功率密度布局，完美适配各类追求轻薄短小的现代电子产品。选择DMN3030LFG-7，就是为您的产品注入一颗高效而可靠的“心脏”。

• 型号:DMN3030LFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:751 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMN3030LFG-7，Diodes产品一站式供应商。