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还在寻找一颗能兼顾高性能与小体积的功率开关解决方案吗？DMN3032LE-13正是为您而来。这颗30V/5.6A的N沟道MOSFET，以其低至29毫欧的导通电阻，能显著降低您在开关应用中的功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它采用先进的MOSFET技术，具备快速的开关响应和优异的栅极驱动特性，能轻松胜任DC-DC转换、电机控制、负载开关等多种任务。紧凑的SOT-223封装让您在高密度PCB布局中游刃有余，而其宽温工作范围则确保了在各种环境下的稳定表现。选择它，就是选择了一份让设计更简单、产品更可靠的信心。

• 型号:DMN3032LE-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:29 毫欧 @ 3.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:498 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.8W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• DMN3032LE-13，Diodes产品一站式供应商。