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还在为寻找一颗既能节省空间又能扛起功率重任的MOSFET而烦恼吗？DMN3032LFDB-7就是您的理想解决方案！这颗双N沟道MOSFET集高性能与微型化于一身，旨在让您的设计更高效、更紧凑。

它拥有30V/6.2A的强劲规格，配合低至30毫欧的导通电阻，能显著降低功率损耗和发热，让您的便携设备续航更长、运行更稳定。其超快的开关特性与UDFN2020-6微型封装，完美适配对空间和效率有极致要求的应用，如负载开关、电机驱动和电源路径管理。

选择DMN3032LFDB-7，就是选择用一颗芯片轻松实现高效功率切换与卓越散热性能的平衡，助您快速将创新想法转化为市场领先的产品。

• 型号:DMN3032LFDB-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.2A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 5.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.6nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:500pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（B 类）
• DMN3032LFDB-7，Diodes产品一站式供应商。