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还在为电路中的开关损耗和驱动复杂性头疼吗？DMN3033LSD-13正是为您而来的高效能双通道开关。它能让您轻松驾驭高达6.9A的电流，凭借仅20毫欧的超低导通电阻，大幅减少热量产生，提升整体能效，让您的设备运行更凉爽、更持久。

这颗芯片的核心价值在于“高效控制”。其逻辑电平门设计让您可以直接用微处理器进行驱动，省去额外电路，简化设计。同时，极低的栅极电荷确保了迅猛的开关速度，完美适配需要高频PWM调控的电机驱动、DC-DC转换或负载开关等应用，响应快人一步。

无论是空间紧凑的便携设备，还是要求长期可靠性的工业模块，DMN3033LSD-13都能以稳定的性能和标准化的8-SOIC封装，助您轻松实现设计目标，打造出更高效、更可靠的产品。

• 型号:DMN3033LSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.9A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 6.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:725pF @ 15V
• 功率 - 最大值:2W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMN3033LSD-13，Diodes产品一站式供应商。