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还在为空间紧张却需要强大开关能力的电路设计头疼吗？DMN3033LSN-7就是您的理想解决方案！这颗由Diodes Incorporated出品的N沟道MOSFET，集30V耐压、6A大电流承载能力于一身，却拥有仅SC-59-3的微型封装。它能让您轻松实现高密度板级设计，同时毫不妥协于性能。

其核心魅力在于极低的导通电阻（典型值30毫欧@10V）和极低的栅极电荷，这意味着更少的能量损耗和更快的开关速度。无论是用于电源路径管理、电机驱动还是负载开关，它都能让您的系统运行得更高效、更凉爽，显著提升整体能效和可靠性。选择DMN3033LSN-7，就是选择了一种在性能与尺寸间取得完美平衡的智慧，助您的产品在市场中脱颖而出。

• 型号:DMN3033LSN-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SC-59-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.5 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:755 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SC-59-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN3033LSN-7，Diodes产品一站式供应商。