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还在为寻找一款既能节省空间又能扛住大电流的MOSFET而烦恼吗？DMN3035LWN-13双N沟道MOSFET阵列就是您的理想答案。它集成了两个高性能MOSFET于微小的8-PowerVDFN封装内，让您轻松实现高密度设计，同时其5.5A的电流承载能力和低至35毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，提升整体能效。

这颗芯片专为高效开关而优化，极低的栅极电荷让驱动变得轻松，快速切换助力您的电源电路或电机控制响应更迅捷。其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了在各种严苛环境下的稳定运行。选择它，就是为您的产品注入了强劲、可靠且高效的动力核心。

• 型号:DMN3035LWN-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:V-DFN3020-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 5.5A 8VDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 4.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.5nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:399pF @ 15V
• 功率 - 最大值:-
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:V-DFN3020-8
• DMN3035LWN-13，Diodes产品一站式供应商。