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还在为您的便携式设备寻找一颗既能“扛大梁”又“不占地方”的功率开关吗？DMN3035LWN-7双N沟道MOSFET正是您的理想之选。它集成了两个高性能MOSFET通道，能轻松处理高达5.5A的连续电流，而其惊人的低导通电阻（仅35毫欧）意味着更少的能量损耗和发热，直接为您带来更长的电池续航和更冷静的系统运行。

这颗芯片专为空间受限的高效应用而生。它采用超薄的8-PowerVDFN封装，让您能在极其紧凑的电路板上实现强大的负载驱动或电源路径管理。无论是快速切换还是精密控制，其优异的栅极电荷和电容特性都能确保迅捷而干净的开关动作，让您的电源设计更加高效、可靠。

• 型号:DMN3035LWN-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:V-DFN3020-8（类型 N）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 4.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.9nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:399pF @ 15V
• 功率 - 最大值:770mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:V-DFN3020-8（类型 N）
• DMN3035LWN-7，Diodes产品一站式供应商。