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还在寻找一颗能兼顾高性能与小体积的功率开关吗？DMN3042L-13正是您的理想之选。它是一款30V、5.8A的N沟道MOSFET，其核心价值在于用微型SOT-23的封装，为您提供了强大的电流处理能力和极高的效率。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的设计轻松实现高效的能量切换与控制。超低的26.5毫欧导通电阻（@10V）意味着更少的导通损耗和发热，而2.5V的低驱动电压让它可以被大多数现代微控制器直接驱动，简化您的电路设计。无论是用于电源管理、电机控制还是负载开关，DMN3042L-13都能以出色的性能和可靠性，助您打造更节能、更紧凑、更具竞争力的电子产品。

• 型号:DMN3042L-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:26.5 毫欧 @ 5.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:860 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:720mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN3042L-13，Diodes产品一站式供应商。