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还在为空间受限的电路板寻找一颗“小身材、大能量”的功率开关吗？DMN3042L-7 N沟道MOSFET就是您的理想答案。它能在仅SOT-23的微小身躯内，为您高效处理高达5.8A的电流，其超低的26.5毫欧导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的设备运行更凉爽，续航更持久。

这颗芯片专为简化您的设计而生。2.5V的低驱动电压让您轻松驱动，宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）则确保了它在各种环境下的稳定表现。无论是用于负载开关、电机控制还是电源管理，DMN3042L-7都能以卓越的能效和可靠性，助您轻松打造更具市场竞争力的产品。

• 型号:DMN3042L-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:26.5 毫欧 @ 5.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:860 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:720mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN3042L-7，Diodes产品一站式供应商。