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DMN3042LFDF-13 零件图片(仅供参考)

DMN3042LFDF-13
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DMN3042LFDF-13 规格参数

还在寻找那颗能完美平衡性能与尺寸的功率开关吗?DMN3042LFDF-13正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有30V的耐压和高达7A的连续电流能力,其核心价值在于极低的28毫欧导通电阻,能显著减少开关过程中的功率损耗,让您的系统运行更凉爽、更高效。

它采用先进的U-DFN2020-6超薄封装,非常适合空间受限的便携式和紧凑型设备。优化的栅极特性让您能轻松实现快速、干净的开关控制,无论是用于电源管理、电机驱动还是负载切换,都能确保稳定可靠的性能。选择它,就是为您的设计注入一颗强劲而高效的“心脏”。

  • 型号:DMN3042LFDF-13
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:U-DFN2020-6(F 类)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 7A 6UDFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):28 毫欧 @ 4A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):13.3 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):570 pF @ 50 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.1W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:U-DFN2020-6(F 类)
  • 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
  • DMN3042LFDF-13,Diodes产品一站式供应商。
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DMN3042LFDF-13 基本参数:

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