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还在寻找一颗能兼顾高性能与小体积的功率开关吗？DMN3042LFDF-7正是为您而来的解决方案。这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，拥有30V耐压和7A的强劲电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻（仅28毫欧@10V）和快速的开关响应。这意味着它能为您大幅降低导通损耗和开关损耗，让您的电源管理或电机驱动电路运行得更凉爽、更高效。

它采用超紧凑的6UDFN表面贴装封装，非常适合空间宝贵的便携式设备和模块化设计。优化的栅极驱动特性（Vgs(th)低至1.4V）让您能够轻松用低压逻辑信号进行控制，简化您的驱动电路设计。无论是用于同步整流、负载开关还是电机控制，DMN3042LFDF-7都能让您以更小的体积和更低的功耗，实现更稳定可靠的系统性能，助您轻松赢得市场先机。

• 型号:DMN3042LFDF-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 7A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:570 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• DMN3042LFDF-7，Diodes产品一站式供应商。