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还在寻找一颗能兼顾高效能与易驱动性的功率开关吗？DMN3052LSS-13正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET能让您轻松驾驭高达7.1A的电流，其核心魅力在于仅需2.5V的低电压即可高效驱动，并实现低至30毫欧的导通电阻，显著降低开关损耗和发热，直接提升您的系统整体能效。

它采用紧凑的8-SOP封装，非常适合空间受限的现代电子设计，无论是用作负载开关、DC-DC转换，还是电机控制，都能让您的产品运行更凉爽、更可靠。选择它，就是为您的电源管理方案注入一颗强劲而高效的心脏。

• 型号:DMN3052LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 7.1A 8SOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 7.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:555 pF @ 5 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMN3052LSS-13，Diodes产品一站式供应商。