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还在为空间紧张的PCB布局发愁吗？DMN3053L-13这颗采用微型SOT-23封装的N沟道MOSFET，就是为您解忧的利器。它能让您在指尖大小的空间内，轻松实现高达30V电压和4A电流的稳健开关控制，极大释放您的设计自由度。

这颗芯片的核心价值在于其高效能。凭借低至45毫欧的导通电阻和仅需2.5V的低开启电压，它能显著降低开关过程中的功率损耗，直接为您带来更凉爽的运行温度和更高的系统效率。无论是优化电池供电设备的续航，还是提升电机驱动的响应速度，它都能出色完成任务。选择它，就是选择了一种让产品更节能、更可靠、更具竞争力的简单方式。

• 型号:DMN3053L-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:676 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:760mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN3053L-13，Diodes产品一站式供应商。