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还在为电路板空间紧张而烦恼吗？DMN3055LFDB-13就是为您量身打造的效率倍增器。这颗双N沟道MOSFET阵列，能在仅指尖大小的空间内，为您提供高达5A的持续电流处理能力，并以低至40毫欧的导通电阻，大幅降低开关损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

它集成了两个性能一致的MOSFET，让您轻松实现同步整流、负载开关或电机驱动等双路控制，简化设计的同时提升系统可靠性。其低栅极电荷和输入电容确保了快速的开关速度，配合1.5V的低开启阈值，让您能高效地使用各类低压微控制器进行精准驱动。选择DMN3055LFDB-13，就是选择了一种更紧凑、更高效、更可靠的电源管理方式，助您轻松应对现代电子设计的挑战。

• 型号:DMN3055LFDB-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 5A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 3A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.3nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:458pF @ 15V
• 功率 - 最大值:-
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（B 类）
• DMN3055LFDB-13，Diodes产品一站式供应商。