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还在为空间有限的电路板寻找一颗既能扛大电流、又具备超低损耗的功率开关吗？DMN3065LW-13就是为您而来的解决方案。这颗由Diodes Incorporated出品的N沟道MOSFET，拥有30V的耐压和高达4A的连续电流处理能力，其核心魅力在于仅52毫欧的超低导通电阻。这意味着当它工作时，电能可以更顺畅地通过，产生的热量极少，从而让您的设备运行更高效、更凉爽，直接提升整体能效和可靠性。

它专为简化您的设计而生。仅需2.5V的低驱动电压即可高效导通，让您能轻松地使用常见的微控制器GPIO口直接驱动，省去复杂的电平转换电路。同时，其SOT-323微型封装为您节省了宝贵的PCB空间，非常适合高密度集成的便携式电子产品。无论是用于电源管理、电机驱动还是负载开关，DMN3065LW-13都能以出色的性能和极小的体积，助您轻松打造出更具市场竞争力的产品。

• 型号:DMN3065LW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 4A SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:52 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:465 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:770mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• DMN3065LW-13，Diodes产品一站式供应商。