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还在为有限的PCB空间和严苛的能效要求而烦恼吗？让DMN3071LFR4-7来为您分忧！这颗N沟道MOSFET是专为空间敏感型高效应用而生的开关利器。

它能在您产品的负载开关、DC-DC转换或电池管理电路中，凭借其低至65毫欧的导通电阻和3.4A的电流能力，大幅降低功率损耗，直接提升整体效率，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。其超小的DFN封装让您轻松实现高密度布局，而优异的开关特性则确保系统响应快速稳定。

选择它，就是为您的便携设备、智能穿戴或物联网终端选择了一颗可靠高效的心脏，助您轻松打造更具市场竞争力的产品。

• 型号:DMN3071LFR4-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN1010-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 3.4A 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:65 毫欧 @ 3.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:190 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN1010-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
• DMN3071LFR4-7，Diodes产品一站式供应商。