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还在寻找一颗能兼顾高效能与微型化的功率开关芯片吗？DMN3071LFR4-7R正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有30V/3.4A的稳健规格，其核心魅力在于极低的65毫欧导通电阻，能显著减少开关损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

它专为空间受限的高效应用而生。无论是为便携设备进行精准的电源管理，还是驱动小型电机实现平稳调速，其快速的开关响应和超紧凑的DFN封装都能让您轻松优化电路板布局，提升整体系统性能。选择它，就是为您的产品注入高效可靠的动力核心。

• 型号:DMN3071LFR4-7R
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN1010-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 3.4A 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:65 毫欧 @ 3.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:190 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN1010-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
• DMN3071LFR4-7R，Diodes产品一站式供应商。