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您正在设计需要高效功率管理的紧凑型设备吗？DMN30H14DLY-13 N沟道MOSFET正是为您而来。它能轻松担当起高达300V电压下的开关重任，210mA的连续漏极电流足以驱动多种负载，让您的电源转换、电机控制或LED驱动电路运行得更稳定、更高效。

这颗芯片采用先进的MOSFET技术，在10V驱动电压下导通电阻低至14欧姆，配合仅4nC的超低栅极电荷，能显著减少开关损耗，提升系统整体能效。其坚固的SOT-89封装和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保它能在各种苛刻环境中可靠工作，大大增强了您产品的耐用性和市场竞争力。

• 型号:DMN30H14DLY-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-89-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 300V 210MA SOT89
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:300 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):210mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 欧姆 @ 300mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:96 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-89-3
• 封装/外壳:TO-243AA
• DMN30H14DLY-13，Diodes产品一站式供应商。