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还在为高压小电流电路的开关效率烦恼吗？DMN30H4D0LFDE-13正是为您解忧的利器。这颗N沟道MOSFET拥有300V的耐压和仅550mA的连续漏极电流，专为需要精密控制和高效开关的应用而设计。

它的核心魅力在于极低的驱动需求与出色的开关性能。仅需2.7V的驱动电压即可实现低导通电阻，配合超低的栅极电荷，能让您的电路开关速度更快、损耗更小、发热更低。无论是开发紧凑型电源适配器、LED驱动还是各类辅助电源模块，它都能让您的设计更高效、更可靠。

采用先进的U-DFN2020-6超薄封装，这颗芯片在提供强大性能的同时，为您节省宝贵的PCB空间，轻松实现高密度布局，是追求小型化与高性能产品的理想选择。

• 型号:DMN30H4D0LFDE-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:300 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):550mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.7V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 欧姆 @ 300mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:187.3 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:630mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 封装/外壳:6-PowerUDFN
• DMN30H4D0LFDE-13，Diodes产品一站式供应商。