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还在寻找一颗能在高压小信号电路中既高效又省空间的开关解决方案吗？DMN30H4D1S-7正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有300V的高耐压和430mA的电流能力，配合仅4欧姆的低导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的系统运行更凉爽、能效比更高。

它专为简化您的设计而生。极低的栅极电荷和输入电容，意味着您可以用更简单的驱动电路实现快速、干净的开关动作，轻松提升整体响应速度。同时，其微型的SOT-23表面贴装封装，为您节省宝贵的PCB空间，让产品设计更加紧凑精巧。无论是用于电源转换、负载开关还是电机控制，DMN30H4D1S-7都能以出色的可靠性和性能，助您一臂之力。

• 型号:DMN30H4D1S-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 300V 430MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:300 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):430mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 欧姆 @ 300mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:174 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN30H4D1S-7，Diodes产品一站式供应商。