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还在寻找一颗能兼顾高效能与易驱动性的MOSFET吗？DMN3112SSS-13正是您理想的答案。这颗30V、6A的N沟道MOSFET，凭借其仅57毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关状态下的功率损耗，让您的电源管理或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它专为简化您的设计而生。仅需4.5V的驱动电压即可实现高效导通，让您轻松对接各类低压微控制器，省去复杂的电平转换电路。紧凑的8-SOP封装为您节省宝贵的电路板空间，同时其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了在各种环境下的稳定表现。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而可靠的心脏。

• 型号:DMN3112SSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:57 毫欧 @ 5.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:268 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOP
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMN3112SSS-13，Diodes产品一站式供应商。