我们为全球各个行业提供Diodes DMN313DLT-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为空间有限的电路设计寻找一颗高效、可靠的开关核心吗？DMN313DLT-7正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET能在30V电压下稳健工作，并以仅2欧姆的低导通电阻，让您在控制高达270mA电流时，依然保持极低的能量损耗，显著提升终端设备的续航能力。

它的魅力在于极致的易用性与高效能。仅需1.5V至4.5V的低驱动电压即可轻松开启，配合超低的栅极电荷和输入电容，让您的驱动电路设计变得异常简单，开关速度更快，系统整体响应更迅捷。无论是用于电源路径管理、信号切换还是电机驱动，它都能让您的设计事半功倍。

采用微型SOT-523表贴封装，它能轻松融入任何紧凑的PCB布局，是穿戴设备、便携式电子产品、IoT模块等空间敏感型应用的理想选择。选择DMN313DLT-7，就是为您的产品注入一颗强劲而精巧的“心脏”。

• 型号:DMN313DLT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 270MA SOT523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):270mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 10mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:36.3 pF @ 5 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:280mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
• DMN313DLT-7，Diodes产品一站式供应商。