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还在为电路板空间紧张和开关效率不高而头疼吗？DMN3190LDW-7双N沟道MOSFET正是为您解忧的利器。它能在微小的SOT-363封装内，为您提供两个独立的逻辑电平驱动开关，让您轻松实现高效的负载管理、信号切换或电机控制，大幅简化您的电路布局。

这颗芯片的核心价值在于其卓越的电气性能：仅190毫欧的低导通电阻能显著减少功率损耗，提升整体能效；2.8V的低栅极阈值电压使其可直接由微控制器驱动，省去额外电路。无论是处理1A的连续电流，还是应对-55°C到150°C的严苛环境，它都能稳定可靠地工作，是您打造紧凑、高效、可靠电子产品的理想选择。

• 型号:DMN3190LDW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 1.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:87pF @ 20V
• 功率 - 最大值:320mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装:SOT-363
• DMN3190LDW-7，Diodes产品一站式供应商。