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还在寻找一颗能兼顾高效能与高集成度的开关器件吗？DMN31D5L-7 N沟道MOSFET正是您的理想之选。它能在30V电压和500mA电流下稳定工作，凭借其低导通电阻和快速开关特性，让您轻松实现高效的电源路径管理、负载开关及信号切换功能，显著提升系统能效。

这颗芯片采用经典的SOT-23封装，节省宝贵的电路板空间，同时其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了在各类环境下的卓越可靠性。无论是用于便携消费电子、物联网设备还是工业控制模块，DMN31D5L-7都能以出色的性能，助您简化设计、加速产品上市进程。

• 型号:DMN31D5L-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 10mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.6V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN31D5L-7，Diodes产品一站式供应商。