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您正在设计需要高效、紧凑型开关控制的电路吗？DMN31D6UT-13正是为您而来的解决方案。这颗由Diodes Incorporated出品的N沟道MOSFET，拥有30V耐压和350mA的电流处理能力，其核心魅力在于极低的驱动需求仅需2.5V电压即可实现优异导通，让您能轻松地用单片机GPIO直接控制，省去复杂的驱动电路。

它能让您的设计事半功倍。超低的导通电阻（1.5欧姆@4.5V）意味着更少的能量损耗和发热，直接提升系统能效，尤其适合电池供电设备。同时，其微小的SOT-523封装为您节省下宝贵的电路板空间，而快速的开关特性则确保了信号的响应速度。无论是用作负载开关、信号切换还是电源管理，DMN31D6UT-13都能以高可靠性和高效率，助您打造出更具市场竞争力的产品。

• 型号:DMN31D6UT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):350mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.35 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:13.6 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:320mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
• DMN31D6UT-13，Diodes产品一站式供应商。